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674 nm Wavelength Planar-Buried-Heterostructure GaInAsP/AlGaAs Visible Laser Diodes Grown on GaAs by LPE Diodes laser visibles GaInAsP/AlGaAs à hétérostructure planaire enterrée de longueur d'onde de 674 nm cultivées sur GaAs par LPE

Akinori HARADA, Katsumi KISHINO

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Résumé:

Lasers visibles GaInAsP/AlGaAs à hétérostructure planaire enterrée émettant à une longueur d'onde de 674 nm, fabriqués pour la première fois et fonctionnant dans des conditions d'impulsion à température ambiante. Le faible courant de seuil de 80 mA et la puissance de sortie de 5 mW/facette ont été obtenus.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on transactions Vol.E70-E No.1 pp.17-19
Date de publication
1987/01/25
Publicisé
ISSN en ligne
DOI
Type de manuscrit
LETTER
Catégories
Électronique optique et quantique

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