La fonctionnalité de recherche est en construction.
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Accomplishment of At-Speed BISR for Embedded DRAMs Réalisation du BISR à grande vitesse pour les DRAM embarquées

Yoshihiro NAGURA, Yoshinori FUJIWARA, Katsuya FURUE, Ryuji OHMURA, Tatsunori KOMOIKE, Takenori OKITAKA, Tetsushi TANIZAKI, Katsumi DOSAKA, Kazutami ARIMOTO, Yukiyoshi KODA, Tetsuo TADA

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Résumé:

L'augmentation du temps de test des DRAM intégrées (e-DRAM) est l'un des problèmes clés du test des dispositifs System-on-Chip (SOC). Cet article propose de mettre la fonction d'analyse de réparation sur puce sous le nom de Built In Self Repair (BISR). Le BISR est effectué à 166 MHz à la vitesse de l'e-DRAM en utilisant un équipement de test automatique (ATE) à faible coût. La surface du BISR est de 1.7 mm2. L'utilisation du formulaire de table de stockage des erreurs contribue à réaliser une pénalité de petite zone pour la fonction d'analyse des réparations. La durée du test de la fonction e-DRAM par BISR était d'environ 20 % inférieure à celle de la méthode conventionnelle de test au niveau des tranches. De plus, des échantillons représentatifs sont produits pour confirmer la capacité d’analyse des réparations. Les résultats montrent que tous les échantillons sont réellement réparés grâce aux informations de réparation générées par BISR.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Information Vol.E85-D No.10 pp.1498-1505
Date de publication
2002/10/01
Publicisé
ISSN en ligne
DOI
Type de manuscrit
Special Section PAPER (Special Issue on Test and Verification of VLSI)
Catégories
SONT

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