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A 2-5GHz Wideband Inductorless Low Noise Amplifier for LTE and Intermediate-Frequency-Band 5G Applications Un amplificateur à faible bruit et sans inductance à large bande de 2 à 5 GHz pour les applications LTE et 5G à bande de fréquence intermédiaire

Youming ZHANG, Fengyi HUANG, Lijuan YANG, Xusheng TANG, Zhen CHEN

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Résumé:

Cet article présente un LNA balun antibruit sans inductance à large bande avec deux modes de gain, une faible NF et une haute linéarité pour les applications 3.3G LTE et à bande de fréquence intermédiaire (par exemple 3.6-4.8 GHz, 5-5 GHz) fabriquées en CMOS 65 nm. Le LNA proposé est testé en liaison et présente un NF minimum de 2.2 dB et un IIP3 maximum de -3.5 dBm. Bénéficiant d'une inductance de polarisation hors puce dans l'étage CG et d'un tampon à couplage croisé, le LNA occupe une fréquence de fonctionnement élevée jusqu'à 5 GHz avec une linéarité et une NF remarquables ainsi qu'une zone compacte.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Fundamentals Vol.E102-A No.1 pp.209-210
Date de publication
2019/01/01
Publicisé
ISSN en ligne
1745-1337
DOI
10.1587/transfun.E102.A.209
Type de manuscrit
Special Section LETTER (Special Section on Wideband Systems)
Catégories

Auteurs

Youming ZHANG
  Southeast University
Fengyi HUANG
  Southeast University
Lijuan YANG
  Southeast University
Xusheng TANG
  Broadchip Co., Ltd.
Zhen CHEN
  Southeast University

Mots-clés

Table des matières