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Modeling and Parameter Extraction Technique for Uni-Directional HV MOS Devices Technique de modélisation et d'extraction de paramètres pour les dispositifs MOS HV unidirectionnels

Takao MYONO, Eiji NISHIBE, Shuichi KIKUCHI, Katsuhiko IWATSU, Takuya SUZUKI, Yoshisato SASAKI, Kazuo ITOH, Haruo KOBAYASHI

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Résumé:

Cet article présente une nouvelle technique pour modéliser avec précision les dispositifs MOS unidirectionnels à drain légèrement dopé haute tension (MOS HV) en étendant le modèle MOS HV bidirectionnel et en adoptant une nouvelle méthode d'extraction de paramètres. Nous avons déjà fait état d'un modèle SPICE pour les dispositifs HV MOS bidirectionnels basés sur BSIM3v3. Cependant, si nous appliquons ce modèle MOS HT bidirectionnel et sa technique d'extraction de paramètres directement aux dispositifs MOS HT unidirectionnels, il existe de grands écarts entre les valeurs mesurées et simulées. I-V caractéristiques des dispositifs unidirectionnels. Cet article étend le modèle bidirectionnel HV MOS et adopte une nouvelle technique d’extraction de paramètres. En utilisant les paramètres extraits avec la nouvelle méthode, le I-V caractéristiques de l'unidirectionnel nLe dispositif HV MOS à canal unique correspond bien aux résultats mesurés. Étant donné que notre méthode ne modifie aucune équation du modèle BSIM3v3, elle peut être appliquée à n'importe quel simulateur SPICE sur lequel le modèle BSIM3v3 s'exécute.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Fundamentals Vol.E83-A No.3 pp.412-420
Date de publication
2000/03/25
Publicisé
ISSN en ligne
DOI
Type de manuscrit
Special Section PAPER (Special Section of Selected Papers from the 12th Workshop on Circuits and Systems in Karuizawa)
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