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A Nonlinear GaAs FET Model Suitable for Active and Passive MM-Wave Applications Un modèle FET GaAs non linéaire adapté aux applications actives et passives à ondes MM

Kohei FUJII, Yasuhiko HARA, Fadhel M. GHANNOUCHI, Toshiyuki YAKABE, Hatsuo YABE

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Résumé:

Cet article propose un modèle FET non linéaire amélioré ainsi que sa procédure d'extraction de paramètres adaptée à la prédiction précise des niveaux de produits d'intermodulation (IM) et des réponses parasites dans les applications actives et passives. Ce nouveau modèle permet une capture précise du comportement du courant de drain et de ses dérivées par rapport à la tension de grille et à la tension de drain dans les régions saturées et linéaires du I-V domaine de polarisation. Il a été constaté que ce modèle prédit avec précision l'effet dépendant du biais. S-Paramètres ainsi que les niveaux de l'IM pour les applications d'amplificateur et de mélangeur jusqu'aux fréquences d'ondes millimétriques.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Fundamentals Vol.E83-A No.2 pp.228-235
Date de publication
2000/02/25
Publicisé
ISSN en ligne
DOI
Type de manuscrit
Special Section PAPER (Special Section on Analog Circuit Techniques and Related Topics)
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