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Study of the DC Performance of Fabricated Magnetic Tunnel Junction Integrated on Back-End Metal Line of CMOS Circuits Étude des performances CC de la jonction tunnel magnétique fabriquée intégrée sur la ligne métallique back-end des circuits CMOS

Fumitaka IGA, Masashi KAMIYANAGI, Shoji IKEDA, Katsuya MIURA, Jun HAYAKAWA, Haruhiro HASEGAWA, Takahiro HANYU, Hideo OHNO, Tetsuo ENDOH

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Résumé:

Dans cet article, nous avons réussi à fabriquer une jonction tunnel magnétique (MTJ) haute performance intégrée dans un circuit CMOS avec un processus CMOS 4 métaux/1 polyporte de 0.14 µm. Nous avons mesuré les caractéristiques CC du MTJ qui est fabriqué sur du métal de ligne métallique de 3ème couche. Ce MTJ de 60180 nm2 permet d'obtenir un changement important de résistance de 3.52 kΩ (anti-parallèle) avec un rapport TMR de 151 % à température ambiante, ce qui est suffisamment grand pour le schéma de détection de la logique CMOS standard. De plus, le courant d'écriture est de 320 µA et peut être piloté par un transistor MOS standard. Les résultats montrent que les performances CC de notre MTJ fabriqué intégré dans des circuits CMOS sont très bonnes pour notre nouveau dispositif à logique de spin (logique basée sur MTJ).

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E93-C No.5 pp.608-613
Date de publication
2010/05/01
Publicisé
ISSN en ligne
1745-1353
DOI
10.1587/transele.E93.C.608
Type de manuscrit
Special Section PAPER (Special Section on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices)
Catégories
Mémoire Flash/Avancé

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