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SONOS-Type Flash Memory with HfO2 Thinner than 4 nm as Trapping Layer Using Atomic Layer Deposition Mémoire Flash de type SONOS avec HfO2 Plus fin que 4 nm comme couche de piégeage utilisant le dépôt de couche atomique

Jae Sub OH, Kwang Il CHOI, Young Su KIM, Min Ho KANG, Myeong Ho SONG, Sung Kyu LIM, Dong Eun YOO, Jeong Gyu PARK, Hi Deok LEE, Ga Won LEE

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Résumé:

Un HfO2 comme couche de stockage de charge avec une épaisseur physique inférieure à 4 nm dans l'oxyde de silicium à haute teneur en silicium.k La mémoire flash oxyde-oxyde-silicium (SOHOS) a été étudiée. Comparé à la mémoire flash conventionnelle SONOS (oxyde de silicium-nitrure-oxyde-silicium), le SOHOS présente une vitesse de fonctionnement lente et présente des caractéristiques de rétention moins bonnes. Ceux-ci sont attribués à la fine épaisseur physique inférieure à 4 nm et à la cristallisation du HfO2 pour contribuer à la migration latérale de la charge piégée dans la couche de piégeage pendant le processus de recuit à haute température.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E93-C No.5 pp.590-595
Date de publication
2010/05/01
Publicisé
ISSN en ligne
1745-1353
DOI
10.1587/transele.E93.C.590
Type de manuscrit
Special Section PAPER (Special Section on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices)
Catégories
Mémoire Flash/Avancé

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