La fonctionnalité de recherche est en construction.
La fonctionnalité de recherche est en construction.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

Importance of the Electronic State on the Electrode in Electron Tunneling Processes between the Electrode and the Quantum Dot Importance de l'état électronique sur l'électrode dans les processus de tunnel électronique entre l'électrode et le point quantique

Masakazu MURAGUCHI, Yukihiro TAKADA, Shintaro NOMURA, Tetsuo ENDOH, Kenji SHIRAISHI

  • Vues en texte intégral

    0

  • Citer

Résumé:

Nous avons révélé que les états électroniques des électrodes ont une influence significative sur le transport des électrons dans les dispositifs nanoélectroniques. Nous avons théoriquement étudié l'évolution temporelle du transport d'électrons depuis un gaz d'électrons bidimensionnel (2DEG) vers un point quantique (QD), où 2DEG représente l'électrode dans les dispositifs nanoélectroniques. Nous avons clairement montré que le transport cohérent des électrons est remarquablement modifié en fonction de l'état électronique initial dans le 2DEG. Le transport des électrons du 2DEG vers le QD est fortement amélioré lorsque l'état initial de l'électron dans le 2DEG est localisé en dessous du QD. Nous avons proposé que le contrôle de l'état électronique des électrodes puisse réaliser un nouveau concept de fonction de dispositif sans modifier les structures des électrodes ; qui permet d'atteindre un nouvel état contrôlable dans les futurs dispositifs nano-électroniques.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E93-C No.5 pp.563-568
Date de publication
2010/05/01
Publicisé
ISSN en ligne
1745-1353
DOI
10.1587/transele.E93.C.563
Type de manuscrit
Special Section PAPER (Special Section on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices)
Catégories
Appareils émergents

Auteurs

Mots-clés

Table des matières