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Simulation of Gate-All-Around Tunnel Field-Effect Transistor with an n-Doped Layer Simulation d'un transistor à effet de champ de tunnel à grille complète avec une couche dopée n

Dong Seup LEE, Hong-Seon YANG, Kwon-Chil KANG, Joung-Eob LEE, Jung Han LEE, Seongjae CHO, Byung-Gook PARK

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Résumé:

Nous proposons un transistor à effet de champ tunnel à grille complète (GAA TFET) ayant une couche dopée n à la jonction source et étudions ses caractéristiques électriques avec une simulation de dispositif. En introduisant la couche dopée n, la zone de tunneling bande à bande est augmentée et la largeur de la barrière tunnel est diminuée. De plus, le champ électrique induit par la polarisation de grille est augmenté par la structure de grille environnante, ce qui permet d'obtenir une courbure de bande plus abrupte. Ces effets entraînent une amélioration significative des caractéristiques de courant et sous-seuil. Le GAA TFET avec une couche dopée n montre une oscillation inférieure au seuil à Id = 1 nA/µm de 32.5 mV/déc, oscillation moyenne sous le seuil de 20.6 mV/déc. Par comparaison avec d'autres structures TFET, les mérites du dispositif proposé sont démontrés et les dépendances des performances sur les paramètres du dispositif sont caractérisées par des simulations approfondies.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E93-C No.5 pp.540-545
Date de publication
2010/05/01
Publicisé
ISSN en ligne
1745-1353
DOI
10.1587/transele.E93.C.540
Type de manuscrit
Special Section PAPER (Special Section on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices)
Catégories
Technologie multi-portes

Auteurs

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