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Analysis of Passivation-Film-Induced Stress Effects on Electrical Properties in AlGaN/GaN HEMTs Analyse des effets des contraintes induites par le film de passivation sur les propriétés électriques des HEMT AlGaN/GaN

Naoteru SHIGEKAWA, Suehiro SUGITANI

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Résumé:

Les effets de la contrainte dans les films de passivation sur les propriétés électriques des (0001) HEMT AlGaN/GaN sont analysés numériquement dans le cadre du modèle de force de bord avec des caractéristiques anisotropes dans les propriétés élastiques des nitrures du groupe III explicitement prises en compte. Les contraintes de compression pratiques dans les films de passivation induisent des charges piézoélectriques négatives sous les grilles et produisent des tensions de seuil inférieures de quelques volts. De plus, le décalage de la tension de seuil dû à la contrainte de compression est proportionnel à LG- 1.1- 1.5 avec longueur de portail LG, ce qui est comparable aux attentes basées sur le schéma d'équilibre des charges. Ces résultats suggèrent que les films de passivation avec une contrainte conçue pourraient jouer un rôle crucial dans la réalisation de HEMT AlGaN/GaN avec des tensions de seuil peu profondes ou positives.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E93-C No.8 pp.1212-1217
Date de publication
2010/08/01
Publicisé
ISSN en ligne
1745-1353
DOI
10.1587/transele.E93.C.1212
Type de manuscrit
Special Section PAPER (Special Section on Heterostructure Microelectronics with TWHM 2009)
Catégories
Appareils basés sur GaN

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