La fonctionnalité de recherche est en construction.
La fonctionnalité de recherche est en construction.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

3-Dimensional Terraced NAND (3D TNAND) Flash Memory-Stacked Version of Folded NAND Array Version empilée en mémoire flash NAND en terrasses tridimensionnelles (3D TNAND) de la matrice NAND pliée

Yoon KIM, Seongjae CHO, Gil Sung LEE, Il Han PARK, Jong Duk LEE, Hyungcheol SHIN, Byung-Gook PARK

  • Vues en texte intégral

    0

  • Citer

Résumé:

Nous proposons une mémoire flash NAND en terrasses tridimensionnelle. Il a un canal vertical donc il est possible de faire un canal assez long en 3F2 taille. Et il a une structure tridimensionnelle dont le canal est relié verticalement à deux escaliers. Nous pouvons ainsi obtenir une haute densité comme dans la structure à matrice empilée, sans processus d'empilement de silicium. Nous pouvons créer de la mémoire flash NAND avec 3F2 taille des cellules. À l’aide de la simulation SILVACO ATLAS, nous étudions les caractéristiques de la mémoire flash NAND en terrasses telles que la programmation, l’effacement et la lecture. Aussi, sa méthode de fabrication est proposée.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E92-C No.5 pp.653-658
Date de publication
2009/05/01
Publicisé
ISSN en ligne
1745-1353
DOI
10.1587/transele.E92.C.653
Type de manuscrit
Special Section PAPER (Special Section on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices)
Catégories

Auteurs

Mots-clés

Table des matières