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Formation of Pd Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma and Its Application to Floating Gate MOS Memories Formation de nanopoints Pd induite par un plasma d'hydrogène distant et son application aux mémoires MOS à grille flottante

Kazuhiro SHIMANOE, Katsunori MAKIHARA, Mitsuhisa IKEDA, Seiichi MIYAZAKI

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Résumé:

Nous avons étudié la formation de nanodots Pd sur SiO2 à partir de films ultrafins de Pd exposés à un plasma d'hydrogène distant à température ambiante, dans lesquels des paramètres tels que la pression du gaz et la puissance d'entrée permettent de générer du H2 le plasma et l'épaisseur du film de Pd ont été sélectionnés pour obtenir des informations sur la migration de surface des atomes de Pd induite par l'irradiation atomique par l'hydrogène et l'agglomération résultante avec action cohésive. La densité surfacique des points a été contrôlée dans la plage allant de Entre 3.4 et 6.51011 cm à 2 tandis que la distribution de la taille des points a été modifiée de Entre 7 et 1.5 pouces de hauteur moyenne de point avec Variation de 40 % en pleine largeur à mi-hauteur. Nous avons également fabriqué des condensateurs MOS avec une grille flottante à nanodots Pd et confirmé le décalage de tension à bande plate dans la caractéristique capacité-tension dû à l'injection et à l'émission d'électrons vers la grille flottante à points.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E92-C No.5 pp.616-619
Date de publication
2009/05/01
Publicisé
ISSN en ligne
1745-1353
DOI
10.1587/transele.E92.C.616
Type de manuscrit
Special Section PAPER (Special Section on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices)
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