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P3HT/Al Organic/Inorganic Heterojunction Diodes Investigated by I-V and C-V Measurements Diodes à hétérojonction organiques/inorganiques P3HT/Al étudiées par des mesures IV et CV

Fumihiko HIROSE, Yasuo KIMURA, Michio NIWANO

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Résumé:

Les caractéristiques électriques des diodes à hétérojonction organiques/inorganiques P3HT/aluminium ont été étudiées grâce aux mesures VI et capacité-tension (CV). La mesure VI a montré un redressement du courant inhérent à la diode Schottky, suggérant leur disponibilité en tant que diodes de redressement dans les circuits flexibles organiques. L'analyse CV a indiqué le fait que la couche d'appauvrissement avait été générée dans le film P3HT dans des conditions de polarisation inversée. L'analyse de la tension à bande plate suggère que la charge interfaciale affecte le potentiel intégré des diodes. L'hétérojonction Al/P3HT peut être utilisée non seulement comme diodes de redressement, mais également comme jonctions de grille pour les transistors à effet de champ ou à induction statique de type jonction.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E92-C No.12 pp.1475-1478
Date de publication
2009/12/01
Publicisé
ISSN en ligne
1745-1353
DOI
10.1587/transele.E92.C.1475
Type de manuscrit
Special Section PAPER (Special Section on Nanomaterials and Nanodevices for Nanoscience and Nanotechnology)
Catégories
Fondamentaux pour les nanodispositifs

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