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Al-Zn-Sn-O Thin Film Transistors with Top and Bottom Gate Structure for AMOLED
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Transistors à couches minces Al-Zn-Sn-O avec structure de grille supérieure et inférieure pour AMOLED

Doo-Hee CHO, Sang-Hee Ko PARK, Shinhyuk YANG, Chunwon BYUN, Min Ki RYU, Jeong-Ik LEE, Chi-Sun HWANG, Sung Min YOON, Hye Yong CHU, Kyoung Ik CHO

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Résumé:

Nous avons fabriqué les TFT transparents à grille inférieure et à grille supérieure en utilisant un nouveau matériau d'oxyde d'Al-Zn-Sn-O (AZTO) comme couche active. La couche active AZTO a été déposée par pulvérisation magnétron RF à température ambiante. Notre nouveau TFT a montré de bonnes performances TFT sans post-recuit. La mobilité par effet de champ et l'oscillation inférieure au seuil ont été améliorées par le post-recuit, et la mobilité a augmenté avec SnO2 contenu. L'AZTO TFT (environ 4 % en moles d'AlOx, 66 % en moles de ZnO et 30 % en moles de SnO2) présentait une mobilité de 10.3 cm2/Vs, une tension d'activation de 0.4 V, une oscillation sous le seuil de 0.6 V/déc et un rapport marche/arrêt de 109. Bien que la grille inférieure AZTO TFT ait montré de bonnes performances électriques, la stabilité de la polarisation était relativement mauvaise. La stabilité du biais a été considérablement améliorée dans la porte supérieure AZTO TFT. Nous avons fabriqué avec succès le panneau AMOLED transparent en utilisant le fond de panier composé d'un réseau TFT AZTO à porte supérieure.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E92-C No.11 pp.1340-1346
Date de publication
2009/11/01
Publicisé
ISSN en ligne
1745-1353
DOI
10.1587/transele.E92.C.1340
Type de manuscrit
Special Section INVITED PAPER (Special Section on Electronic Displays)
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