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Design of a Dual-Band Load-Modulated Sequential Amplifier with Extended Back-off Conception d'un amplificateur séquentiel bi-bande modulé en charge avec atténuation étendue

Minghui YOU, Guohua LIU, Zhiqun CHENG

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Résumé:

Cette lettre présente un amplificateur séquentiel à modulation de charge (LMSA) bi-bande. L'amplificateur proposé a transformé l'atténuateur terminé au niveau du port d'isolation du combineur à quatre ports de l'architecture traditionnelle d'amplificateur de puissance séquentiel (SPA) en un réseau de modulation de réactance (RMN) pour la modulation de charge. L'impédance peut être maintenue sous forme de résistance pure en concevant RMN, permettant ainsi d'obtenir un rendement élevé et une bonne partie de la puissance de sortie dans les multiples bandes. Comparé à l'amplificateur de puissance Doherty double bande doté d'un réseau de modulation de charge (LMN) double bande complexe, le LMSA proposé présente des avantages tels que le maintien d'une efficacité de réduction de puissance de sortie (OBO) élevée, une large bande passante et une construction simple. Un LMSA bi-bande de 10 watts est simulé et mesuré dans 1.7-1.9 GHz et 2.4-2.6 GHz avec des rendements saturés de 61.2 à 69.9 % et de 54.4 à 70.8 %, respectivement. L'efficacité OBO de 9 dB correspondante est respectivement de 46.5 à 57.1 % et de 46.4 à 54.4 %.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E106-C No.12 pp.808-811
Date de publication
2023/12/01
Publicisé
2023/06/07
ISSN en ligne
1745-1353
DOI
10.1587/transele.2023ECS6002
Type de manuscrit
BRIEF PAPER
Catégories
Micro-ondes, ondes millimétriques

Auteurs

Minghui YOU
  Hangzhou Dianzi University
Guohua LIU
  Hangzhou Dianzi University
Zhiqun CHENG
  Hangzhou Dianzi University

Mots-clés

Table des matières