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Single-Electron Transistor Operation of a Physically Defined Silicon Quantum Dot Device Fabricated by Electron Beam Lithography Employing a Negative-Tone Resist Fonctionnement d'un transistor à électron unique d'un dispositif à points quantiques en silicium physiquement défini, fabriqué par lithographie par faisceau d'électrons utilisant une réserve à tons négatifs

Shimpei NISHIYAMA, Kimihiko KATO, Yongxun LIU, Raisei MIZOKUCHI, Jun YONEDA, Tetsuo KODERA, Takahiro MORI

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Résumé:

Nous avons proposé et démontré un processus de fabrication de points quantiques physiquement définis utilisant une lithographie par faisceau d'électrons employant une réserve à tons négatifs pour une intégration haute densité de bits quantiques de silicium (qubits). La caractérisation électrique à 3.8K a montré des diamants dits de Coulomb, ce qui indique un fonctionnement réussi du dispositif en tant que transistors à un seul électron. Le processus de fabrication du dispositif proposé sera utile en raison de sa haute compatibilité avec le processus d'intégration à grande échelle.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E106-C No.10 pp.592-596
Date de publication
2023/10/01
Publicisé
2023/06/02
ISSN en ligne
1745-1353
DOI
10.1587/transele.2022FUS0002
Type de manuscrit
BRIEF PAPER
Catégories

Auteurs

Shimpei NISHIYAMA
  Tokyo Institute of Technology,National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) Tsukuba
Kimihiko KATO
  National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) Tsukuba
Yongxun LIU
  National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) Tsukuba
Raisei MIZOKUCHI
  Tokyo Institute of Technology
Jun YONEDA
  Tokyo Institute of Technology
Tetsuo KODERA
  Tokyo Institute of Technology
Takahiro MORI
  National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) Tsukuba

Mots-clés

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