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Kr-Plasma Sputtering for Pt Gate Electrode Deposition on MFSFET with 5 nm-Thick Ferroelectric Nondoped HfO2 Gate Insulator for Analog Memory Application Pulvérisation plasma Kr pour le dépôt d'électrodes à grille Pt sur MFSFET avec du HfO ferroélectrique non dopé de 5 nm d'épaisseur2 Isolateur de porte pour application de mémoire analogique

Joong-Won SHIN, Masakazu TANUMA, Shun-ichiro OHMI

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Résumé:

Dans cette recherche, nous avons étudié la tension de seuil (VTH) contrôle par polarisation partielle de transistors à effet de champ métal-ferroélectrique-semiconducteur (MFSFET) avec du HfO non dopé de 5 nm d'épaisseur2 isolant de grille utilisant la pulvérisation plasma Kr pour le dépôt d'électrode de grille de platine. La polarisation résiduelle (2Pr) de 7.2 μC/cm2 a été réalisé par pulvérisation plasma de Kr pour le dépôt d'une électrode à grille de platine. La fenêtre mémoire (MW) de 0.58 V a été réalisée avec une amplitude et une largeur d'impulsion de -5/5 V, 100 ms. De plus, le VTH du MFSFET était contrôlable par une impulsion d'entrée de programme/effacement (P/E) même avec une largeur d'impulsion inférieure à 100 ns, ce qui peut être causé par la réduction du courant de fuite avec une diminution des dommages au plasma.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E106-C No.10 pp.581-587
Date de publication
2023/10/01
Publicisé
2023/06/02
ISSN en ligne
1745-1353
DOI
10.1587/transele.2022FUP0003
Type de manuscrit
Special Section PAPER (Special Section on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices)
Catégories

Auteurs

Joong-Won SHIN
  Tokyo Institute of Technology
Masakazu TANUMA
  Tokyo Institute of Technology
Shun-ichiro OHMI
  Tokyo Institute of Technology

Mots-clés

Table des matières