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Sputtering Gas Pressure Dependence on the LaBxNy Insulator Formation for Pentacene-Based Back-Gate Type Floating-Gate Memory with an Amorphous Rubrene Passivation Layer Dépendance de la pression du gaz de pulvérisation sur le laboratoirexNy Formation d'isolant pour mémoire à grille flottante de type back-gate à base de pentacène avec une couche de passivation en rubrène amorphe

Eun-Ki HONG, Kyung Eun PARK, Shun-ichiro OHMI

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Résumé:

Dans cette recherche, l'effet de Ar/N2-pression du gaz de pulvérisation plasma sur le LaBxNy la couche tunnel et la couche de bloc ont été étudiées pour une mémoire à grille flottante à base de pentacène avec une couche de passivation en rubrène amorphe (α-rubrène). L'influence de la couche de passivation de l'α-rubrène sur les caractéristiques de mémoire a été examinée. La diode MIMIS (métal/isolant/métal/isolant/semi-conducteur) à base de pentacène et le transistor à effet de champ organique (OFET) ont été fabriqués à l'aide de LaB dopé au N.6 couche métallique et LaBxNy isolant avec couche de passivation α-rubrène à une température de recuit de 200°C. Dans le cas de la diode MIMIS, la densité de courant de fuite et l'épaisseur d'oxyde équivalente (EOT) ont été réduites de 1.2 × 10-2 A/cm2 à 1.1 × 10-7 A/cm2 et 3.5 nm à 3.1 nm, respectivement, en diminuant la pression du gaz de pulvérisation de 0.47 Pa à 0.19 Pa. Dans le cas d'un OFET de type à grille flottante avec couche de passivation en α-rubrène, la plus grande fenêtre de mémoire de 0.68 V a été obtenue avec une mobilité à saturation de 2.2×10-2 cm2/(V·s) et oscillation sous-seuil de 199 mV/déc par rapport au dispositif sans couche de passivation α-rubrène.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E105-C No.10 pp.589-595
Date de publication
2022/10/01
Publicisé
2022/06/27
ISSN en ligne
1745-1353
DOI
10.1587/transele.2021FUP0005
Type de manuscrit
Special Section PAPER (Special Section on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices)
Catégories

Auteurs

Eun-Ki HONG
  Tokyo Institute of Technology
Kyung Eun PARK
  Tokyo Institute of Technology
Shun-ichiro OHMI
  Tokyo Institute of Technology

Mots-clés

Table des matières