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Low-Temperature Deposition of Yttrium Oxide on Flexible PET Films Using Time-Separated Yttrium Precursor and Oxidizer Injections Dépôt à basse température d'oxyde d'yttrium sur des films PET flexibles à l'aide d'injections de précurseur d'yttrium et d'oxydant séparées dans le temps

Kentaro SAITO, Kazuki YOSHIDA, Masanori MIURA, Kensaku KANOMATA, Bashir AHMMAD, Shigeru KUBOTA, Fumihiko HIROSE

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Résumé:

Dépôt de Y à basse température2O3 à 80°C est étudié à l'aide d'un précurseur d'yttrium du tris(butylcyclopentadiényl)yttrium (Y(BuCp)3) et le plasma sort de l'oxydant à l'argon humidifié. Le dépôt est démontré à l'aide d'une séquence de dépôt de couche atomique ; le Y(BuCp)3 et les gaz oxydants sont introduits séparément dans la chambre de réaction et ces injections sont répétées. Pour déterminer les conditions d'introduction du gaz, les réactions de surface de Y(BuCp)3 l'adsorption et son oxydation sont observées par un in situ Spectroscopie d'absorption IR. Le film déposé est confirmé comme étant entièrement oxydé Y2O3 par spectroscopie photoélectronique à rayons X. Le présent dépôt est applicable pour le dépôt de Y2O3 film sur films flexibles en polyéthylène téréphtalate.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E105-C No.10 pp.604-609
Date de publication
2022/10/01
Publicisé
2022/06/27
ISSN en ligne
1745-1353
DOI
10.1587/transele.2021FUP0002
Type de manuscrit
Special Section PAPER (Special Section on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices)
Catégories

Auteurs

Kentaro SAITO
  Yamagata University
Kazuki YOSHIDA
  Yamagata University
Masanori MIURA
  Yamagata University
Kensaku KANOMATA
  Yamagata University
Bashir AHMMAD
  Yamagata University
Shigeru KUBOTA
  Yamagata University
Fumihiko HIROSE
  Yamagata University

Mots-clés

Table des matières