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Characterization and Modeling of a GaAsSb/InGaAs Backward Diode on the Basis of S-Parameter Measurement Up to 67 GHz Caractérisation et modélisation d'une diode arrière GaAsSb/InGaAs sur la base de la mesure des paramètres S jusqu'à 67 GHz

Shinpei YAMASHITA, Michihiko SUHARA, Kenichi KAWAGUCHI, Tsuyoshi TAKAHASHI, Masaru SATO, Naoya OKAMOTO, Kiyoto ASAKAWA

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Résumé:

Nous fabriquons et caractérisons une diode arrière GaAsSb/InGaAs (BWD) en vue d'une réalisation d'une rectification micro-ondes à polarisation nulle de haute sensibilité pour la récupération d'énergie des ondes RF. Des BWD p-GaAsSb/n-InGaAs adaptés au réseau ont été fabriqués et leur courant-tension (IV) les caractéristiques et les paramètres S jusqu'à 67 GHz ont été mesurés par rapport à plusieurs types de diamètres mesa dans l'ordre du µm. Notre modèle théorique et notre analyse sont bien adaptés aux mesures IVs sur la base de l’approximation WKB de la transmission. Il est confirmé que le tunneling interbande dû à l'hétérojonction est un mécanisme de transport dominant pour présenter le phénomène non linéaire. IV régime de polarisation autour de zéro, contrairement aux composants de courant de recombinaison ou de diffusion sur la jonction pn, qui contribuent à un régime de courant important. Un modèle de circuit équivalent du BWD est clarifié en confirmant l'ajustement théorique pour une admission dépendant de la fréquence jusqu'à 67 GHz. À partir du modèle de circuit, éliminant la composante d'inductance parasite, la dépendance en fréquence de la sensibilité à la tension du redresseur BWD est dérivée par rapport à plusieurs tailles de diamètre mesa. Il suggère quantitativement une efficacité de la réduction de la taille des mesa pour améliorer la sensibilité intrinsèque de la tension adaptée avec une augmentation de la résistance de jonction et le maintien de l'amplitude de IV coefficient de courbure.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E102-C No.6 pp.462-465
Date de publication
2019/06/01
Publicisé
ISSN en ligne
1745-1353
DOI
10.1587/transele.2018FUS0006
Type de manuscrit
BRIEF PAPER
Catégories

Auteurs

Shinpei YAMASHITA
  Tokyo Metropolitan University
Michihiko SUHARA
  Tokyo Metropolitan University
Kenichi KAWAGUCHI
  Fujitsu Limited,Fujitsu Laboratories Ltd.
Tsuyoshi TAKAHASHI
  Fujitsu Limited,Fujitsu Laboratories Ltd.
Masaru SATO
  Fujitsu Limited,Fujitsu Laboratories Ltd.
Naoya OKAMOTO
  Fujitsu Limited,Fujitsu Laboratories Ltd.
Kiyoto ASAKAWA
  Tokyo Metropolitan College of Industrial Technology

Mots-clés

Table des matières