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The Effect of PMA with TiN Gate Electrode on the Formation of Ferroelectric Undoped HfO2 Directly Deposited on Si(100) L'effet du PMA avec l'électrode de grille TiN sur la formation de HfO ferroélectrique non dopé2 Directement déposé sur Si(100)

Min Gee KIM, Shun-ichiro OHMI

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Résumé:

Nous avons étudié le recuit post-métallisation (PMA) utilisant une électrode de grille TiN sur le mince HfO ferroélectrique non dopé.2 directement déposé sur p-Si (100) par pulvérisation magnétron RF. Par procédé de recuit post-dépôt (PDA) à 600°C/30 s en N2, la fenêtre de mémoire (MW) dans les caractéristiques CV a été observée dans le Al/HfO2Diodes /p-Si(100) avec HfO de 15 à 24 nm d'épaisseur2. Cependant, cela n’a pas été obtenu lorsque l’épaisseur de HfO2 était de 10 nm. En revanche, le MW a été observé pour Pt/TiN/HfO2 Diodes (10 nm)/p-Si(100) utilisant le processus PMA à 600°C/30 s. Le MW était de 0.5 V lorsque la tension de polarisation était appliquée de -3 à 3 V.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E102-C No.6 pp.435-440
Date de publication
2019/06/01
Publicisé
ISSN en ligne
1745-1353
DOI
10.1587/transele.2018FUP0002
Type de manuscrit
Special Section PAPER (Special Section on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices)
Catégories

Auteurs

Min Gee KIM
  Tokyo Institute of Technology
Shun-ichiro OHMI
  Tokyo Institute of Technology

Mots-clés

Table des matières