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A Low-Voltage SOI-CMOS LC-Tank VCO with Double-Tuning Technique Using Lateral P-N Junction Variable Capacitance Un VCO à réservoir LC SOI-CMOS basse tension avec technique de double réglage utilisant une capacité variable de jonction PN latérale

Mitsuo NAKAMURA, Hideki SHIMA, Toshimasa MATSUOKA, Kenji TANIGUCHI

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Résumé:

Pour la communication sans fil, un oscillateur à tension contrôlée (VCO) CMOS monolithique à réservoir LC basse tension est développé avec la technologie de processus CMOS silicium sur isolant (SOI) entièrement appauvri de 0.2 µm. Le VCO dispose d'une technique de double réglage pour obtenir une large plage de réglage avec des varactors à jonction pn latérale. Le VCO présente les caractéristiques suivantes à la tension d'alimentation de 1.5 V : (1) Plage de fréquence de sortie de 1.07 GHz à 1.36 GHz, (2) Troisième harmonique inférieure à -37 dBc et (3) Bruit de phase de -120 dBc/Hz. à une fréquence décalée de 1 MHz.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E85-C No.7 pp.1428-1435
Date de publication
2002/07/01
Publicisé
ISSN en ligne
DOI
Type de manuscrit
Special Section PAPER (Special Issue on Silicon RF Device & Integrated Circuit Technologies)
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