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Three-Dimensional MMIC Technology on Silicon: Review and Recent Advances Technologie MMIC tridimensionnelle sur silicium : examen et avancées récentes

Belinda PIERNAS, Kenjiro NISHIKAWA, Kenji KAMOGAWA, Ichihiko TOYODA

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Résumé:

Cet article passe en revue les avantages de la technologie MMIC tridimensionnelle au silicium, tels que les lignes de transmission à faibles pertes, le niveau d'intégration élevé et les inductances sur puce à facteur Q élevé. Couplée au concept masterslice, cette technologie offre également une procédure de conception simple, un délai d'exécution court, un faible coût et une intégration potentielle avec les circuits LSI. Un amplificateur en bande K et un convertisseur élévateur démontrent les avantages du fonctionnement haute fréquence et de la faible consommation d'énergie de la technologie Si 3-D MMIC. Un émetteur-récepteur monopuce Si-bipolaire en bande C est proposé pour illustrer le niveau d'intégration élevé offert par le concept masterslice. Enfin, les progrès récents que nous avons réalisés en matière d'inductances sur puce à facteur Q élevé fournissent la conception de l'amplificateur à faible bruit en bande S présenté dans cet article.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E85-C No.7 pp.1394-1403
Date de publication
2002/07/01
Publicisé
ISSN en ligne
DOI
Type de manuscrit
Special Section INVITED PAPER (Special Issue on Silicon RF Device & Integrated Circuit Technologies)
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