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Silicon Resonant Tunneling Metal-Oxide-Semiconductor Transistor for Sub-0.1 µm Era Transistor métal-oxyde-semi-conducteur à effet tunnel résonant au silicium pour une ère inférieure à 0.1 µm

Naoto MATSUO, Yoshinori TAKAMI, Takahiro NOZAKI, Hiroki HAMADA

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Résumé:

Les caractéristiques du transistor métal-oxyde-semiconducteur à effet tunnel résonant Si (SRTMOST), qui possède des doubles barrières aux deux bords du canal, sont examinées du point de vue de la substitution du transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur conventionnel (MOSFET). ) à l’ère inférieure à 0.1 µm. L'influence des doubles barrières sur la suppression des courants de drain en condition de coupure de grille est discutée, et la faisabilité du circuit logique à trois valeurs composé du p-MOSFET et du n-SRTMOST est également démontrée théoriquement. .

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E85-C No.5 pp.1086-1090
Date de publication
2002/05/01
Publicisé
ISSN en ligne
DOI
Type de manuscrit
Special Section PAPER (Special Issue on Advanced Sub-0.1 µm CMOS Devices)
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