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Suppression of Short Channel Effect in Triangular Parallel Wire Channel MOSFETs Suppression de l'effet de canal court dans les MOSFET à canaux triangulaires et parallèles

Toshiki SAITO, Takuya SARAYA, Takashi INUKAI, Hideaki MAJIMA, Toshiharu NAGUMO, Toshiro HIRAMOTO

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Résumé:

Nous avons proposé le MOSFET à canal parallèle triangulaire haute densité sur un substrat SOI et avons démontré les effets de canal court supprimés par simulation et expérience. Dans cette structure de dispositif, le processus de fabrication est entièrement compatible avec le processus MOSFET planaire et est beaucoup moins compliqué que d'autres structures de dispositif non plan, notamment les MOSFET à grille complète (GAA) et SOI à double grille. De plus, notre processus de fabrication permet de doubler la densité des fils, ce qui entraîne un courant d'entraînement plus élevé. Les résultats de la simulation tridimensionnelle montrent que le MOSFET à canal filaire triangulaire proposé présente de meilleures caractéristiques de canal court que les MOSFET SOI à simple et double grille. Les MOSFET à canal métallique parallèle triangulaire fabriqués présentent de meilleures caractéristiques inférieures au seuil et moins d'abaissement de barrière induit par le drain (DIBL) que les MOSFET SOI à grille unique.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E85-C No.5 pp.1073-1078
Date de publication
2002/05/01
Publicisé
ISSN en ligne
DOI
Type de manuscrit
Special Section PAPER (Special Issue on Advanced Sub-0.1 µm CMOS Devices)
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