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Electron Transport in Metal-Amorphous Silicon-Metal Memory Devices Transport d'électrons dans les dispositifs de mémoire métal-silicium-amorphe

Jian HU, Janos HAJTO, Anthony J. SNELL, Mervyn J. ROSE

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Résumé:

Caractéristiques courant-tension du silicium-V amorphe hydrogéné dopé au Cr (Cr/p+a-Si:H/V) des dispositifs de commutation à mémoire analogique ont été mesurés sur une large plage de résistances de plusieurs kilo-ohms à plusieurs centaines de kilo-ohms, et sur une plage de températures de 13 K à 300 K. La polarisation et La dépendance de la conductance en fonction de la température présente des caractéristiques similaires à celles des matériaux hétérogènes métal-isolant (c'est-à-dire des films métalliques discontinus ou granulaires), qui sont analysés en termes de mécanisme d'effet tunnel activé. Une structure filamentaire modifiée pour le Cr/p+Des dispositifs de commutation a-Si:H/V sont proposés. L'influence des particules métalliques incorporées sur la commutation de mémoire est analysée et discutée.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E84-C No.9 pp.1197-1201
Date de publication
2001/09/01
Publicisé
ISSN en ligne
DOI
Type de manuscrit
Special Section PAPER (Special Issue on Selected Papers from the 5th Asian Symposium on Information Storage Technology)
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