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Effects of Source and Load Impedance on the Intermodulation Distortion Products of GaAs FETs Effets de l'impédance de source et de charge sur les produits de distorsion d'intermodulation des FET GaAs

Kwang-Ho AHN, Soong-Hak LEE, Yoon-Ha JEONG

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Résumé:

La linéarité de l'amplificateur de puissance à transistor à effet de champ GaAs (FET) est fortement influencée par les caractéristiques non linéaires de la capacité grille-source (Cgs) et le courant drain-source (Ids) pour les FET. Cependant, les méthodes d'analyse suggérées précédemment de la non-linéarité du GaAs FET se concentrent principalement sur les investigations de chaque composant non linéaire individuel (Cgs or Ids) sans tenir compte des deux effets non linéaires. Nous analysons plus précisément la non-linéarité des FET GaAs en considérant les effets non linéaires de Cgs et à la Ids simultanément. Nous étudions également la distorsion d'intermodulation du troisième ordre (IMD3) du GaAs FET par rapport aux impédances de source et de charge qui minimisent les non-linéarités du FET. A partir des résultats de simulation par la technique de la série Volterra, nous montrons que le moins IMD3 se trouve à la résistance minimale de la source (RS) et la résistance à la charge maximale (RL) dans la puissance de sortie équivalente (Pande) contours. Les résultats simulés sont comparés aux données de charge et d'extraction de source, avec un bon accord.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E84-C No.8 pp.1104-1110
Date de publication
2001/08/01
Publicisé
ISSN en ligne
DOI
Type de manuscrit
PAPER
Catégories
Matériaux et dispositifs semi-conducteurs

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