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Improvement of Ferroelectric Hysteresis Curves in Epitaxial BaTiO3 Film Capacitors by 2-Step Deposition Amélioration des courbes d'hystérésis ferroélectriques dans BaTiO épitaxial3 Condensateurs à film par dépôt en 2 étapes

Naoko YANASE, Kazuhide ABE, Noburu FUKUSHIMA, Takashi KAWAKUBO

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Résumé:

Une technique de dépôt en 2 étapes a été introduite dans la croissance hétéroépitaxiale du titanate de baryum (BaTiO3) Films minces. BaTiO hétéroépitaxial3 les films ont été préparés sur un SrRuO3/ SrTiO3 substrat par pulvérisation magnétron radiofréquence (RF) avec trois types de méthodes de dépôt : dépôt à faible puissance RF, dépôt en 2 étapes et dépôt à haute puissance. Les propriétés cristallographiques et ferroélectriques ont été évaluées pour les films hétéroépitaxiaux. Lorsque le condensateur épitaxial a été préparé par la technique de dépôt en 2 étapes, la polarisation rémanente ferroélectrique, 2Pr, a été maximisé. Les conditions de dépôt optimisées pour améliorer la qualité des cristaux sont discutées en termes de dommages et de diffusion, qui pourraient être introduits dans les films d'oxyde lors de la croissance épitaxiale, et contrôlées respectivement par la puissance RF et le temps de dépôt.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E84-C No.6 pp.796-801
Date de publication
2001/06/01
Publicisé
ISSN en ligne
DOI
Type de manuscrit
Special Section PAPER (Special Issue on Nonvolatile Memories)
Catégories
FeRAM

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