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1.0 V Operation Power Heterojunction FET for Digital Cellular Phones FET à hétérojonction de puissance de fonctionnement de 1.0 V pour téléphones cellulaires numériques

Takehiko KATO, Yasunori BITO, Naotaka IWATA

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Résumé:

Cet article décrit les performances de puissance de fonctionnement de 1.0 V d'un FET à hétérojonction AlGaAs/InGaAs/AlGaAs double dopé pour téléphones cellulaires numériques personnels. Le FET développé avec un capuchon multicouche constitué d'un GaAs hautement dopé au Si, d'un GaAs non dopé et d'un AlGaAs hautement dopé au Si présentait une résistance à l'état passant de 1.3 Ω.mm et un courant de drain maximum de 620 mA/mm. Un dispositif de largeur de grille de 28 mm, fonctionnant avec une tension de polarisation de drain de 1.0 V, a démontré une puissance de sortie de 1.0 W, un rendement de puissance ajoutée de 59 % et un gain associé de 13.7 dB à une puissance de fuite de canal adjacent à 50 kHz. fréquence décentrée de -48 dBc avec un signal de modulation par déphasage en quadrature décalé π/950 de 4 MHz.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E84-C No.2 pp.249-252
Date de publication
2001/02/01
Publicisé
ISSN en ligne
DOI
Type de manuscrit
PAPER
Catégories
Micro-ondes, ondes millimétriques

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