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V-Band HEMT MMICs Using BCB Thin-Film Layers on GaAs Substrates MMIC HEMT en bande V utilisant des couches de couches minces BCB sur des substrats GaAs

Naoko ONO, Keiichi YAMAGUCHI, Minoru AMANO, Masayuki SUGIURA, Yuji ISEKI, Eiji TAKAGI

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Résumé:

Les auteurs ont développé des MMIC à transistors à haute mobilité électronique (HEMT) en bande V adoptant des couches minces de benzo-cyclo-butène (BCB) sur des substrats GaAs. Étant donné que les couches minces BCB, qui peuvent modifier l'épaisseur de parties arbitraires d'un circuit, sont utilisées pour ces MMIC, à la fois une ligne microruban à couche mince (TFMS), offrant les avantages d'une grande flexibilité de disposition et de petite taille, et un guide d'ondes coplanaire (CPW), offrant l'avantage d'une faible perte, peut être utilisé selon l'objectif du MMIC. Nous présentons ici les quatre types de MMIC en bande V que nous avons fabriqués : amplificateur à faible bruit (LNA), mélangeur, oscillateur contrôlé en tension (VCO) et amplificateur de puissance (PA). Les lignes de transmission optimales ont été choisies parmi la ligne TFMS et le CPW pour ces MMIC. La miniaturisation du LNA MMIC et du mélangeur MMIC a été obtenue grâce à l'adoption de la gamme TFMS, tandis que l'adoption du CPW a permis au VCO MMIC d'atteindre des performances élevées. Ces résultats indiquent qu'il est important de choisir la ligne de transmission optimale en fonction de l'objectif de la fonction du circuit pour chaque MMIC. Il a été confirmé que ces MMIC nouvellement développés utilisant les couches diélectriques à couches minces BCB sont attrayants pour les applications à ondes millimétriques.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E84-C No.10 pp.1528-1534
Date de publication
2001/10/01
Publicisé
ISSN en ligne
DOI
Type de manuscrit
Special Section PAPER (Special Issue on Millimeter-Wave Circuits and Fabrication Technologies Opening up the 21st Century)
Catégories

Auteurs

Mots-clés

BCB,  couche mince,  bande V,  HEMT,  MMIC

Table des matières