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SiGe Hetero-FETs Potential for Micropower Applications Potentiel des hétéro-FET SiGe pour les applications de micropuissance

Christos PAPAVASSILIOU, Kristel FOBELETS, Chris TOUMAZOU

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Résumé:

Les transistors à effet de champ à hétérostructure silicium-germanium ont été proposés comme une extension prometteuse des technologies CMOS offrant des performances améliorées dans des géométries détendues. Le potentiel du MOS à hétérostructure SiGe et du FET à hétérostructure en régime de fonctionnement à faible puissance est particulièrement prometteur. Nous discutons des techniques de conception de circuits applicables dans le régime de micropuissance qui peuvent être appliquées aux technologies SiGe HMOS. Nous passons ensuite en revue les résultats récents en HMOS tant du point de vue des matériaux que des applications. Nous concluons en rapportant des résultats de simulation indiquant le potentiel du SiGe HMOS dans les applications de micropuissance radiofréquence.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E84-C No.10 pp.1414-1422
Date de publication
2001/10/01
Publicisé
ISSN en ligne
DOI
Type de manuscrit
Special Section INVITED PAPER (Joint Special Issue on Heterostructure Microelectronics with TWHM 2000 (Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics 2000))
Catégories
SiGe HBT et FET

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