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InP DHBT with 0.5 µ m Wide Emitter along <010> Direction toward BM-HBT with Narrow Emitter InP DHBT avec émetteur large de 0.5 µm dans la direction <010> vers BM-HBT avec émetteur étroit

Toshiki ARAI, Shigeharu YAMAGAMI, Yoshifumi OKUDA, Yoshimichi HARADA, Yasuyuki MIYAMOTO, Kazuhito FURUYA

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Résumé:

Processus de fabrication d'un émetteur étroit le long 010 la direction dans un transistor bipolaire à hétérojonction entièrement dessiné par lithographie par faisceau d'électrons a été étudiée. Une structure d'émetteur d'une largeur de 100 nm a été formée en utilisant une structure épitaxiale avec une couche d'émetteur InP de 30 nm d'épaisseur. Le fonctionnement des transistors des dispositifs dotés d'un émetteur de 0.5 µm de large a été confirmé. Ce processus peut être appliqué à un transistor bipolaire à hétérojonction métallique enterré (BM-HBT) avec émetteur étroit, ce qui permet un fonctionnement à grande vitesse du BM-HBT.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E84-C No.10 pp.1394-1398
Date de publication
2001/10/01
Publicisé
ISSN en ligne
DOI
Type de manuscrit
Special Section PAPER (Joint Special Issue on Heterostructure Microelectronics with TWHM 2000 (Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics 2000))
Catégories
HBT III-V

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