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Low-Frequency Noise Characteristics of AlGaAs/InGaAs Pseudomorphic HEMTs Caractéristiques de bruit basse fréquence des HEMT pseudomorphes AlGaAs/InGaAs

Takashi MIZUTANI, Makoto YAMAMOTO, Shigeru KISHIMOTO, Koichi MAEZAWA

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Résumé:

Le bruit basse fréquence des HEMT pseudomorphes InGaAs fabriqués sur un substrat GaAs a été étudié. La dépendance de la densité spectrale du bruit sur la tension de grille indique que le canal du dispositif domine le bruit basse fréquence. Un bruit de génération-recombinaison (GR) a été observé sous forme de renflements superposés sur un fond de 1/f. L'énergie d'activation du bruit GR était de 0.32 à 0.39 eV, ce qui est proche de celle du centre DX, ce qui suggère que l'origine du bruit GR est le centre DX dans la couche barrière AlGaAs. Un petit renflement a été observé dans le bruit du courant de grille des HEMT avec de grandes fractions molaires d'InAs de 0.4 et 0.5. La génération de pièges avec des constantes de temps différentes peut expliquer ce comportement.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E84-C No.10 pp.1318-1322
Date de publication
2001/10/01
Publicisé
ISSN en ligne
DOI
Type de manuscrit
Special Section PAPER (Joint Special Issue on Heterostructure Microelectronics with TWHM 2000 (Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics 2000))
Catégories
Hétéro-FET et leurs circuits intégrés

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