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Gate and Recess Engineering for Ultrahigh-Speed InP-Based HEMTs Ingénierie de portes et d'évidements pour les HEMT ultra-rapides basés sur InP

Tetsuya SUEMITSU, Tetsuyoshi ISHII, Yasunobu ISHII

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Résumé:

Des transistors à haute mobilité électronique (HEMT) à base d'InP avec des longueurs de grille réduites à 30 nm ont été fabriqués et caractérisés, et l'effet de l'évidement de la grille sur les caractéristiques haute fréquence a été étudié. La fréquence de coupure, qui est considérée comme fonction de la longueur de grille et de la vitesse moyenne du porteur dans une approximation du premier ordre, dépend de la taille de l'évidement de grille lorsque la longueur de grille devient courte. La taille de l'évidement de la grille est optimisée en tenant compte de la capacité de rétroaction et de la résistance parasite. Pour les HEMT ayant un évidement de grille avec une surface InP, un élargissement approprié de l'évidement de grille donne une fréquence de coupure record de 368 GHz pour les HEMT à porte de 30 nm avec un canal adapté au réseau.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E84-C No.10 pp.1283-1288
Date de publication
2001/10/01
Publicisé
ISSN en ligne
DOI
Type de manuscrit
Special Section INVITED PAPER (Joint Special Issue on Heterostructure Microelectronics with TWHM 2000 (Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics 2000))
Catégories
Hétéro-FET et leurs circuits intégrés

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