La fonctionnalité de recherche est en construction.
La fonctionnalité de recherche est en construction.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

Adsorption of Silicone Vapor on the Contact Surface and Its Effect on Contact Failure of Micro Relays Adsorption de vapeur de silicone sur la surface de contact et son effet sur la défaillance de contact des microrelais

Terutaka TAMAI

  • Vues en texte intégral

    0

  • Citer

Résumé:

Contamination au silicone due au SiO2 provoqué par la décomposition des vapeurs de silicone est reconnu comme un phénomène indésirable dans les applications de contact électrique. Les effets de la vapeur de silicone adsorbée sur la surface de contact ont été examinés à l'aide de contacts à microrelais. La quantité de SiO2 formé par la décomposition de la vapeur de silicone devrait dépendre de la quantité de vapeur de silicone adsorbée sur la surface de contact. Ainsi, tout d’abord, une augmentation de l’épaisseur du film provenant de la vapeur de silicone adsorbée en fonction du temps d’exposition a été clarifiée pour l’état statique de la surface. L'épaisseur du film de vapeur de silicone adsorbée augmente proportionnellement au temps d'exposition et sature en une fine monocouche. De plus, pendant cette période d’exposition, l’épaisseur était affectée par la concentration de la vapeur de silicone. Une fois l'épaisseur de la couche moléculaire saturée, l'épaisseur de la couche n'est plus influencée par la concentration de la vapeur de silicone. Ensuite, de ces résultats obtenus par examen de l'exposition à l'état statique, on peut déduire ce qui suit. La molécule de silicone s'adsorbe facilement sur la surface de contact pendant la période d'ouverture des contacts d'établissement et de rupture ainsi qu'à l'état statique. Comme le temps d'ouverture des contacts détermine le temps d'exposition, la quantité de molécules de silicone adsorbées dépend du taux de commutation (opérations par seconde). Une défaillance de contact due à une augmentation de la résistance de contact peut être affectée par le taux de commutation dans un environnement silicone. En conséquence, les caractéristiques de résistance de contact ont été examinées sur une large plage de taux de commutation. Il a été constaté que le nombre d'opérations jusqu'à la défaillance du contact était nettement affecté par le taux de commutation. À savoir, le nombre d'opérations jusqu'à la défaillance du contact diminue à mesure que le taux de commutation augmente. Cependant, une fois qu’une couche très mince telle qu’une monocouche s’est formée, l’épaisseur du film cesse de croître. En conséquence, une fois la couche très mince formée, l'apparition d'une défaillance de contact ne dépend pas de la concentration de silicone ni de la vitesse de commutation.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E83-C No.9 pp.1402-1408
Date de publication
2000/09/25
Publicisé
ISSN en ligne
DOI
Type de manuscrit
Special Section PAPER (Special Issue on Current Electromechanical Devices and Their Materials with Recent Innovations)
Catégories

Auteurs

Mots-clés

Table des matières