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3-Dimensional Process Simulation of Thermal Annealing of Low Dose Implanted Dopants in Silicon Simulation de processus en 3 dimensions de recuit thermique de dopants implantés à faible dose dans le silicium

Vincent SENEZ, Jerome HERBAUX, Thomas HOFFMANN, Evelyne LAMPIN

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Résumé:

Cet article rend compte de la mise en œuvre en trois dimensions (3D) de modèles de diffusion de dopants implantés à faible dose dans le silicium et des différentes problématiques numériques qui y sont associées. Afin de permettre aux utilisateurs finaux de choisir entre une grande précision ou un temps de calcul réduit, un modèle de diffusion conventionnel et à 5 espèces a été implémenté dans le module 3D DIFOX-3D appartenant à la plateforme PROMPT. Par comparaison avec des simulations unidimensionnelles et bidimensionnelles (1D et 2D) réalisées avec IMPACT-4, où des modèles calibrés existent, la validité de ces modèles 3D a été vérifiée. Enfin, les résultats obtenus pour une simulation tridimensionnelle d'une étape de recuit thermique rapide impliquée dans la fabrication d'un transistor MOS sont présentés, ce qui montre la capacité de ce module à gérer l'optimisation de dispositifs réels.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E83-C No.8 pp.1267-1274
Date de publication
2000/08/25
Publicisé
ISSN en ligne
DOI
Type de manuscrit
Special Section PAPER (Special Issue on 1999 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD'99))
Catégories
Modélisation et simulation de processus

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