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Homogeneous Transport in Silicon Dioxide Using the Spherical-Harmonics Expansion of the BTE Transport homogène dans le dioxyde de silicium utilisant l'expansion des harmoniques sphériques du BTE

Lucia SCOZZOLI, Susanna REGGIANI, Massimo RUDAN

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Résumé:

Une étude de premier ordre des processus de transport et de perte d'énergie dans le dioxyde de silicium est réalisée dans le cadre de la solution des harmoniques sphériques de l'équation de transport de Boltzmann. Le SiO2 la bande de conduction est traitée comme une bande sphérique et parabolique à une seule vallée. Les mécanismes de diffusion pertinents sont modélisés de manière cohérente : les mécanismes de diffusion électron-phonon polaires et non polaires sont pris en compte. Les taux de diffusion pour chaque contribution sont analysés en comparaison avec les données de Monte Carlo. Un certain nombre de propriétés de transport macroscopiques des électrons dans SiO2 sont élaborés en régime permanent pour une structure globale homogène. L'enquête montre un bon accord par rapport aux expériences en régime de faible champ et pour différentes températures.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E83-C No.8 pp.1183-1188
Date de publication
2000/08/25
Publicisé
ISSN en ligne
DOI
Type de manuscrit
Special Section PAPER (Special Issue on 1999 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD'99))
Catégories
Simulation de tunnel de porte

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