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Modeling and Simulation of Tunneling Current in MOS Devices Including Quantum Mechanical Effects Modélisation et simulation du courant tunnel dans les dispositifs MOS, y compris les effets mécaniques quantiques

Andrea GHETTI, Jeff BUDE, Paul SILVERMAN, Amal HAMAD, Hem VAIDYA

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Résumé:

Dans cet article, nous rendons compte de la modélisation et de la simulation du courant tunnel dans les dispositifs MOS, y compris les effets de la mécanique quantique. Le modèle de simulation présente un schéma original pour la solution auto-cohérente des équations de Poisson et Schrödinger et est utilisé pour l'extraction de l'épaisseur de l'oxyde, par ajustement des courbes CV, et le calcul du courant tunnel. Les simulations et les expériences sont comparées pour différents types de dispositifs et épaisseurs d'oxyde (1.5 à 6.5 nm), montrant un bon accord et soulignant l'importance de la modélisation mécanique quantique et la présence de nombreux mécanismes tunnel dans les dispositifs MOS à oxyde ultra-mince.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E83-C No.8 pp.1175-1182
Date de publication
2000/08/25
Publicisé
ISSN en ligne
DOI
Type de manuscrit
Special Section PAPER (Special Issue on 1999 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD'99))
Catégories
Simulation de tunnel de porte

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