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Effect of Synthetic Impurities on Photocarrier Transport in Poly(3-Hexylthiophene) Effet des impuretés synthétiques sur le transport des photoporteurs dans le poly (3-hexylthiophène)

Shyam S. PANDEY, Wataru TAKASHIMA, Shuichi NAGAMATSU, Keiichi KANETO

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Résumé:

Le transport par photoporteur du poly(3-hexylthiophène) P3HT régioréatoire dans une configuration de cellule sandwich ITO/P3HT/Al a été étudié au moyen de la technique du temps de vol. Il a été constaté que les caractéristiques de la diode Schottky et l'ampleur de la mobilité des trous sont affectées par les impuretés impliquées lors de la synthèse. La mobilité des trous dans le P3HT régio-aléatoire à température ambiante a été estimée à 2.4. 10-5 2.6 10-4 cm2/V. s avant et après l'élimination des ions ferriques, respectivement, à un champ de 5.0105 V/cm. Les dépendances de mobilité avant et après purification présentent des caractéristiques uniques et ont été discutées en termes de modèle de désordre.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E83-C No.7 pp.1088-1093
Date de publication
2000/07/25
Publicisé
ISSN en ligne
DOI
Type de manuscrit
Special Section PAPER (Special Issue on Organic Molecular Electronics for the 21st Century)
Catégories
Film ultra fin

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