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Design of High Slope-Efficiency Phase-Shifted DFB Laser Diodes with Asymmetrically-Pitch-Modulated (APM) Gratings Conception de diodes laser DFB déphasées à haut rendement en pente avec des réseaux à modulation de pas asymétrique (APM)

Kenji SATO, Yoshiharu MUROYA, Tetsuro OKUDA

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Résumé:

Une étude théorique sur les diodes laser DFB déphasées à haut rendement en pente est présentée. Nous avons proposé une nouvelle structure de réseau appelée réseau à modulation de pas asymétrique (APM), et calculé son efficacité de pente et son rendement monomode. Afin de prendre en compte la période de réseau modulée ; nous avons développé une matrice F qui comprend directement une structure de réseau gazéifiée. Les diodes laser DFB déphasées APM sont constituées d'un réseau uniforme dans une moitié de la cavité et d'un réseau crénelé dans l'autre moitié. Cette structure provoque une distribution asymétrique du champ à l’intérieur de la cavité et la puissance de sortie optique d’une facette est supérieure à celle de l’autre facette. Selon les résultats de la simulation, lorsque le coefficient de couplage normalisé κ L est de 3.0, le rapport de puissance de sortie avant/arrière est de 2.6, tandis que le rendement monomode reste à 100 %, et simultanément l'amélioration du rendement en pente devient de 65 %. meilleur que celui des lasers DFB déphasés quart d'onde ordinaires de même valeur κ L.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E83-C No.6 pp.855-859
Date de publication
2000/06/25
Publicisé
ISSN en ligne
DOI
Type de manuscrit
Special Section PAPER (Special Issue on Advanced Optical Devices for Next Generation High-Speed Communication Systems and Photonic Networks)
Catégories
Lasers à semi-conducteur

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