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ECR-MBE Growth of GaN Using Hydrogen-Nitrogen Mixed Gas Plasma Croissance ECR-MBE de GaN à l'aide d'un plasma gazeux mixte hydrogène-azote

Yasuo CHIBA, Tsutomu ARAKI, Yasushi NANISHI

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Résumé:

La croissance épitaxiale par faisceau moléculaire excitée par plasma de résonance électronique-cyclotron (ECR-MBE) de GaN à l'aide d'un plasma gazeux mixte hydrogène-azote a été étudiée. Le taux de croissance du GaN a été considérablement augmenté par l’ajout d’hydrogène au plasma d’azote. La transition des diagrammes de réflexion de diffraction électronique à haute énergie (RHEED), de motifs striés créés sans présence d'hydrogène à des motifs tachetés en présence d'hydrogène, a indiqué que le rapport V/III effectif était augmenté par l'ajout d'hydrogène. NHx des familles de radicaux ont été détectées dans un plasma gazeux mixte hydrogène-azote par spectroscopie de masse quadripolaire et spectroscopie d'émission optique. Ces radicaux ont été considérés comme responsables de l’augmentation observée du taux de croissance. L'observation au microscope électronique à transmission a montré que la morphologie de surface du GaN sans hydrogène était relativement plate et que celle avec l'hydrogène était en forme de colonne avec des facettes {1 0 ~ 1 1}. Il semble probable que la structure en colonnes des couches de GaN cultivées avec de l’hydrogène soit fortement liée à la croissance initiale des îles.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E83-C No.4 pp.627-632
Date de publication
2000/04/25
Publicisé
ISSN en ligne
DOI
Type de manuscrit
Special Section PAPER (Special Issue on Blue Laser Diodes and Related Devices/Technologies)
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