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Investigations on Strained AlGaN/GaN/Sapphire and GaInN Multi-Quantum-Well Surface LEDs Using AlGaN/GaN Bragg Reflectors Enquêtes sur les LED de surface à puits quantiques multiples AlGaN/GaN/Saphir et GaInN à l'aide de réflecteurs de Bragg AlGaN/GaN

Hiroyasu ISHIKAWA, Naoyuki NAKADA, Masaharu NAKAJI, Guang-Yuan ZHAO, Takashi EGAWA, Takashi JIMBO, Masayoshi UMENO

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Résumé:

Des études ont été menées sur des structures AlGaN/GaN/saphir soumises à des dépôts organométalliques-chimiques en phase vapeur (MOCVD) en utilisant la diffratométrie des rayons X. Alors que l'AlGaN avec une fraction molaire d'AlN inférieure (<0.1) est soumis à une contrainte de compression dans le plan, il est soumis à une contrainte de traction dans le plan avec une fraction molaire d'AlN élevée (>0.1). Bien que les contraintes de traction aient provoqué des fissures dans la couche d'AlGaN avec une fraction molaire d'AlN élevée, nous avons constaté que les fissures étaient considérablement réduites lorsque la qualité de la couche de GaN n'était pas bonne. En utilisant cette technique, nous avons fabriqué des diodes électroluminescentes à puits quantiques multiples GaInN (MQW) sur 15 paires de structures de réflecteurs de Bragg distribués (DBR) AlGaN/GaN. La réflectivité de 15 paires de structure AlGaN/GaN DBR a été démontrée à 75 % à 435 nm. Une puissance de sortie considérablement plus élevée (1.5 fois) a été observée pour les LED GaInN MQW basées sur DBR par rapport aux structures MQW non basées sur DBR.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E83-C No.4 pp.591-597
Date de publication
2000/04/25
Publicisé
ISSN en ligne
DOI
Type de manuscrit
Special Section PAPER (Special Issue on Blue Laser Diodes and Related Devices/Technologies)
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