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Progress in GaN-Based Nanostructures for Blue Light Emitting Quantum Dot Lasers and Vertical Cavity Surface Emitting Lasers Progrès dans les nanostructures à base de GaN pour les lasers à points quantiques émettant de la lumière bleue et les lasers à émission de surface à cavité verticale

Yasuhiko ARAKAWA, Takao SOMEYA, Koichi TACHIBANA

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Résumé:

Nos progrès récents dans les nanostructures à base de GaN pour les lasers à points quantiques (QD) et les lasers à émission de surface à microcavité verticale (VCSEL) sont discutés. Nous avons développé des QD InGaN auto-assemblés sur une couche épitaxiale de GaN, en utilisant un dépôt chimique en phase vapeur organométallique à pression atmosphérique. Le diamètre moyen des QD était aussi petit que 8.4 nm et une forte émission de photoluminescence provenant des QD a été observée à température ambiante. De plus, nous avons constaté que les QD InGaN pouvaient être formés même après l’empilement de 10 couches QD, augmentant ainsi la densité totale des QD. En utilisant ces résultats de croissance, nous avons fabriqué une structure laser avec des QD InGaN intégrés dans la couche active. Un seuil clair a été observé dans la dépendance de l'intensité d'émission sur l'énergie d'excitation à température ambiante sous excitation optique. Nous avons réussi à démontrer l'action laser dans des lasers à émission de surface à cavité verticale à température ambiante avec une finesse de cavité supérieure à 200.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E83-C No.4 pp.564-572
Date de publication
2000/04/25
Publicisé
ISSN en ligne
DOI
Type de manuscrit
Special Section INVITED PAPER (Special Issue on Blue Laser Diodes and Related Devices/Technologies)
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