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UV/Blue/Green InGaN-Based LEDs and Laser Diodes Grown on Epitaxially Laterally Overgrown GaN LED et diodes laser à base d'InGaN UV/bleu/vert cultivées sur du GaN envahi par voie épitaxiale latérale

Shuji NAKAMURA

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Résumé:

Des diodes électroluminescentes (DEL) à structure à puits quantique unique InGaN et GaN UV/bleu/vert ont été cultivées sur des substrats de GaN (ELOG) et de saphir épitaxiés latéralement. L'efficacité quantique externe (EQE) de la LED UV InGaN sur ELOG était bien supérieure à celle du saphir uniquement en fonctionnement à courant élevé. En fonctionnement à faible courant, les deux LED avaient le même EQE. Lorsque la couche active était du GaN, l'EQE de la LED sur le saphir était bien inférieur à celui de l'ELOG, même lors d'opérations à faible et à fort courant, en raison de l'absence d'états d'énergie localisés formés par les fluctuations de la composition de l'alliage. Afin d'améliorer la durée de vie de la diode laser (LD), ELOG a dû être utilisé car la densité de courant de fonctionnement de la LD est bien supérieure à celle de la LED. Une LD violette à hétérostructure à confinement séparé InGaN multi-puits quantiques/GaN/AlGaN a été cultivée sur ELOG sur saphir. Les LD avec des facettes de miroir clivées ont montré une puissance de sortie pouvant atteindre 40 mW dans des conditions de fonctionnement en onde continue (CW) à température ambiante. Le mode transverse fondamental stable a été observé à une puissance de sortie allant jusqu'à 40 mW. La durée de vie estimée des LD à une puissance de sortie constante de 10 mW était de plus de 2,000 60 heures en fonctionnement CW à une température ambiante de XNUMX °C..

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E83-C No.4 pp.529-535
Date de publication
2000/04/25
Publicisé
ISSN en ligne
DOI
Type de manuscrit
Special Section INVITED PAPER (Special Issue on Blue Laser Diodes and Related Devices/Technologies)
Catégories

Auteurs

Mots-clés

InGaN,  DEL,  diode laser,  ÉLOG,  saphir

Table des matières