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Chemical Beam Epitaxy Grown Carbon-Doped Base InP/InGaAs Heterojunction Bipolar Transistor Technology for Millimeter-Wave Applications Technologie de transistor bipolaire à hétérojonction InP/InGaAs à base dopée au carbone par épitaxie par faisceau chimique pour les applications à ondes millimétriques

Jong-In SONG

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Résumé:

La technologie des transistors bipolaires à hétérojonction (HBT) InP/InGaAs à base dopée au carbone pour les applications à ondes millimétriques est présentée. Dopage en carbone ultra-élevé du réseau de couches d'InGaAs adapté à l'InP avec des concentrations de trous supérieures à 1 1020 /cm3 a été réalisé en utilisant une épitaxie par faisceau chimique (CBE). Des structures épi InP/InGaAs HBT à base fortement dopée au carbone ont été cultivées et des HBT auto-alignés de petite surface avec une largeur de doigt émetteur de 1.5 µm ont été fabriqués à l'aide de techniques de gravure triple mesa et de planarisation au polyimide. Les transistors de petite surface fabriqués présentaient une fréquence de coupure du gain de courant d'émetteur commun (fT) jusqu'à 200 GHz. Les résultats préliminaires des tests de fiabilité du dispositif ont montré le potentiel de la base fortement dopée au carbone InP/InGaAs HBT pour les applications micro-ondes et ondes millimétriques hautes performances. Les applications du transistor bipolaire à simple hétérojonction (SHBT) InP/InGaAs et du transistor bipolaire à double hétérojonction (DHBT) à un amplificateur de rétroaction à couplage direct et à un transistor de puissance, respectivement, sont présentées.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E83-C No.1 pp.115-121
Date de publication
2000/01/25
Publicisé
ISSN en ligne
DOI
Type de manuscrit
PAPER
Catégories
Matériaux et dispositifs semi-conducteurs

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