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A New CD Measurement Method Linked with the Electrical Properties of Devices Une nouvelle méthode de mesure de CD liée aux propriétés électriques des appareils

Fumio KOMATSU, Motosuke MIYOSHI, Hiromu FUJIOKA

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Résumé:

Cet article décrit une nouvelle méthode de mesure d'un CD-SEM avec une précision de l'ordre du nanomètre et une bonne corrélation avec les caractéristiques électriques pour un dispositif réel d'intégration à très grande échelle (ULSI). Avec la diminution de la taille des caractéristiques, le motif à mesurer tend à prendre une forme incurvée. Afin de mesurer un tel motif avec une précision de mesure de l’ordre de 5 nm, une mesure bidimensionnelle est efficace. Nous rapportons ici un nouvel algorithme de mesure selon lequel la dimension critique est dérivée de la valeur de l'aire d'un modèle de mesure. Nous appliquons cette méthode de mesure à un dispositif réel de DRAM de 64 Mbits et confirmons la reproductibilité de 3.6 nm pour la mesure de la largeur de ligne de grille et celle de 5.6 nm pour la mesure du diamètre du trou. De plus, nous vérifions que les valeurs de mesure de la largeur de la grille ont une forte corrélation avec la tension de seuil et que celles du diamètre du trou ont également une forte corrélation avec la résistance de contact, respectivement.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E82-C No.7 pp.1347-1352
Date de publication
1999/07/25
Publicisé
ISSN en ligne
DOI
Type de manuscrit
PAPER
Catégories
Matériaux et dispositifs semi-conducteurs

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