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Equipment Simulation of Production Reactors for Silicon Device Fabrication Simulation d'équipement de réacteurs de production pour la fabrication de dispositifs en silicium

Christoph WERNER

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Résumé:

La simulation des équipements peut apporter une aide précieuse à la conception des réacteurs et à l’optimisation des procédés. Cet article décrit les modèles physiques et chimiques utilisés dans cette technique et passe en revue l’état actuel de l’art des outils logiciels disponibles. De plus, le potentiel de la simulation d’équipement sera mis en évidence au moyen de trois exemples récents issus du développement avancé de procédés de silicium quart de micron. Il s'agit notamment d'un réacteur discontinu vertical pour le LPCVD d'oxyde de silicium dopé à l'arsenic, d'un réacteur CVD au tungstène multi-stations et d'un réacteur à plasma pour la gravure du silicium.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E82-C No.6 pp.992-996
Date de publication
1999/06/25
Publicisé
ISSN en ligne
DOI
Type de manuscrit
Special Section INVITED PAPER (Special Issue on TCAD for Semiconductor Industries)
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