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Two-Dimensional Cyclic Bias Device Simulator and Its Application to GaAs HJFET Pulse Pattern Effect Analysis Simulateur de dispositif de polarisation cyclique bidimensionnel et son application à l'analyse des effets du modèle d'impulsion GaAs HJFET

Yuji TAKAHASHI, Kazuaki KUNIHIRO, Yasuo OHNO

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Résumé:

Un simulateur de dispositif qui simule les performances du dispositif dans l'état stable de polarisation cyclique a été développé et appliqué à l'effet de modèle d'impulsion FET à hétéro-jonction GaAs (HJFET). Bien qu'il existe une grande différence de constante de temps entre les signaux d'impulsion et les réactions de piège profond, le simulateur recherche les états stationnaires de polarisation cyclique après environ 30 itérations. Un changement non linéaire du niveau de courant de drain avec le rapport de marque a été confirmé, estimé à partir de l'équation de taux de capture et d'émission d'électrons basée sur les statistiques de Shockley-Read-Hall pour les pièges profonds.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E82-C No.6 pp.917-923
Date de publication
1999/06/25
Publicisé
ISSN en ligne
DOI
Type de manuscrit
Special Section PAPER (Special Issue on TCAD for Semiconductor Industries)
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