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Non-Isothermal Device Simulation of Gate Switching and Drain Breakdown Characteristics of Si MOSFET in Transient State Simulation de dispositif non isotherme des caractéristiques de commutation de grille et de claquage de drain du MOSFET Si en état transitoire

Hirobumi KAWASHIMA, Ryo DANG (or DAN)

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Résumé:

Les caractéristiques électrothermiques du MOSFET Si en état transitoire sont rapportées à l'aide d'un simulateur de dispositif non isotherme où l'auto-échauffement du transistor et l'influence thermique de ses dispositifs voisins sont dûment pris en compte. L'influence thermique est estimée à l'aide d'un simulateur thermique tridimensionnel. Sur la base de cette configuration, nous prédisons les caractéristiques électrothermiques dépendant du temps du MOSFET Si lors de la commutation de grille et ses conditions de claquage de drain. Nous montrons que le délai entre la réponse électrique et l’augmentation de la température du réseau est significatif et ne peut donc pas être négligé. De plus, nous avons constaté que les caractéristiques d’avalanche et de claquage thermique dépendent largement de la pente de la tension d’entrée du drain.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E82-C No.6 pp.894-899
Date de publication
1999/06/25
Publicisé
ISSN en ligne
DOI
Type de manuscrit
Special Section PAPER (Special Issue on TCAD for Semiconductor Industries)
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