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Inverse Modeling and Its Application to MOSFET Channel Profile Extraction Modélisation inverse et son application à l'extraction de profils de canaux MOSFET

Hirokazu HAYASHI, Hideaki MATSUHASHI, Koichi FUKUDA, Kenji NISHI

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Résumé:

Nous proposons une nouvelle méthode de modélisation inverse pour extraire le profil de dopant de canal 2D dans un MOSFET. Le profil est extrait de la tension de seuil (Vth) des MOSFET avec une série de longueurs de grille. Le caractère unique du profil de canal et de drain extrait est confirmé par des simulations de tests. Le profil extrait des nMOSFET réels de 0.1 µm explique les effets de canal court inverse (RSCE) de la tension de seuil en fonction de la longueur de la grille, y compris la dépendance de la polarisation du substrat.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E82-C No.6 pp.862-869
Date de publication
1999/06/25
Publicisé
ISSN en ligne
DOI
Type de manuscrit
Special Section INVITED PAPER (Special Issue on TCAD for Semiconductor Industries)
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